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BA45F5740/BA45F5740-2 内置万年历的感烟探测器 Flash 单片机
文章摘要

BA45F5740/BA45F5740-2

BA45F5740/BA45F5740-2 是一款 A/D 型具有 8 位高性能精简指令集的 Flash 单片机,专门为内置万年历的感烟探测器产品而设计。

在存储器特性方面,Flash 存储器可多次编程的特性给用户提供了较大的方便。此外还包含了一个 RAM 数据存储器和一个可用于存储序号、校准数据等非易失性数据的 True EEPROM 存储器。

在模拟特性方面,该系列单片机包含一个多通道A/D转换器和两个运算放大器。关于内部定时器,该系列单片机带有多个使用灵活的定时器模块,可提供定时功能、脉冲产生功能及 PWM 产生功能。内建完整的 SPI、I2C 和 UART 接口,为设计者提供了一个易于外部硬件通信的接口。内部看门狗定时器、低电压复位和低电压检测等内部保护特性,外加优秀的抗干扰和 ESD 保护性能,确保单片机在恶劣的电磁干扰环境下可靠地运行。

该系列单片机提供内部高速和低速振荡器功能选项,可灵活应用于不同程序。其在不同工作模式之间动态切换的能力,为用户提供了一个优化单片机操作和减少功耗的手段。秉承 Holtek 单片机的一般特性,该系列单片机带有暂停和唤醒功能、振荡器选项、可编程分频器等等,这些都保证使用者的应用只需少量的外部元器件便可实现。

该系列单片机还包含万年历功能,它是一个串行计时器,包括秒、分、时、星期、日、月和年的信息。具有每个月多少天和闰年自动调整能力。万年历专为低功耗产品而设计,且工作在两种模式下:一个是 12 小时模式,带 AM/PM 显示器,另一个是 24 小时模式。

万年历应用上,可使用 IAP 功能纪录事件发生的时间于 Flash 程序存储器中,若 Flash 程序存储器空间不足,再外挂 EEPROM 数据存储器。

外加 I/O 使用灵活、时基功能和灌电流发生器等其它特性,使该系列单片机广泛应用于内置万年历的感烟探测器应用中。

CPU特性

● 工作电压

– fSYS=2MHz:2.2V~5.5V

– fSYS=4MHz:2.2V~5.5V

– fSYS=8MHz:2.2V~5.5V

● VDD=5V,系统时钟为 8MHz 时,指令周期为 0.5μs

● 提供暂停和唤醒功能,以降低功耗

● 振荡器类型

– 内部高速 2/4/8MHz RC – HIRC

– 内部 32kHz RC – LIRC

● 多种工作模式:快速、低速、空闲和休眠

● 内部集成振荡器,无需外接元件

● 所有指令都可在 1~3 个指令周期内完成

● 查表指令

● 115 条功能强大的指令系统

● 8 层堆栈

● 位操作指令

周边特性

● Flash 程序存储器:4K×16

● RAM 数据存储器:256×8

● True EEPROM 存储器:64×8

● 看门狗定时器功能

● 多达 13 个双向 I/O 口

● 多达 2 个与 I/O 口复用的外部中断输入 ( BA45F5740-2 外部中断不可用 )

● 可编程 I/O 口源电流用于 LED 应用

● 用于恒定电流输出的灌电流发生器

● 感烟探测器 AFE,带有两个运算放大器

● 多个定时器模块用于时间测量、捕捉输入、比较匹配输出、PWM 输出及单脉

冲输出功能

● 双时基功能,可提供固定时间的中断信号

● 通用串行接口模块 – USIM,用于 SPI、I2C 或 UART 通信 ( BA45F5740-2 SPI

不可用 )

● 带内部参考电压 VBGREF 的多达 4 个外部通道 12-bit 分辨精度的 A/D 转换器

● 低电压复位功能

● 低电压检测功能

● 封装类型:16-pin NSOP,20/24-pin SOP

● 最大输入串行时钟:

– 1MHz@VDD=3V

– 2MHz@VDD=5V

● 工作电流:

– 小于 0.7µA@3V

– 小于 1.0µA@5V

● TTL 兼容:

– VIH:2.0V~VDD+0.3V@VDD=5V

– VIL:0.3V~+0.8V@VDD=5V

● 两种数据传输模式:单字节或脉冲模式

● 串行 I/O 传输

● 所有寄存器以 BCD 格式存储

注:该图显示具有最大特性的单片机的方框图,单片机间的功能、外部引脚及共用引脚差异详见选型表和引脚图。

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